|
с.н.с Батурін В.А.продовження списку наукових праць151 . А. І. Євтушенко, В.Д. Храновський, Г.В. Лашкарьов, О.І. Биков, В.Й. Лазоренко, В.А. Карпина, Л.О. Клочков Структура та морфологія плівок ZnO, осаджених на підкладинки Si3N4/Si ме-тодом ВЧ магнетронного розпилення // Журнал «Металлофизика и новейшие технологии», Київ, НАН України Металлофизика и новейшие технологии.- Спецвипуск, (2008), т. 30, с. 631-641. : стаття у вітч. виданні 152 . Батурін В.А. Літвінов Р.А. Пустовойтов С.А. H-Ion Sources with Inverse Gas Magnetron Geometry for SNS Project // International Topical Meeting on Nuclear Research Application and Utilization of Accelerators, 4 to 9 May 2009, Vienna, Austria 2009 SM/AE-PO2 p.97 : тези доп. на заруб. конф. 153 . Левченко А. Лашкарев та ін. Deposition of high quality ZnO films for designing of UV photodetectors on their basis // Abstracts of 38 International School on the Physias of Semiconducting Compounds, June 19-26,2009,Krynica-Zdroj, Poland 2009,р.76 : тези доп. на заруб. конф. 154 . Лашкарев та ін. Layer by layer growth of ZnO films by r.f. magnetron sputtering // Abstracts of E-MRS 2009 Spring Meeting June 8-12, 2009, Congress Center, Strasbourg, France 2009 : тези доп. на заруб. конф. 155 . Левченко А. Лашкарев Г.В. та ін New tendencies of deposition high quality ZnО films for designing of UV photodetectors on their basis // Abstrscts of 14 th International Conference on AII-BVI Compounds, August 23-28, 2009, St.Peterburg, Russia 2009, р.273 : тези доп. на заруб. конф. 156 . Карпина В.А. Храновский В.Д. Євтушенко А.І. Лашкарев Г.В. Лазоренко В.Й. Фотолюмінесценція тонких плівок ZnО, осаджених на а- та с- сапфірметодом // Тези ХХІІ Міжнародної конференції «Фізика та технологія тонких плівок та наносистем», травень, 18-23, 2009, Івано-Франківськ, Україна 2009, том1, с : тези доп. на заруб. конф. 157 . Батурин В.А., Еремин С.А. Масс-спектрометрическое исследование процессов ионного распыления при вы-соких энергиях первичных электронов // Журнал нано и электронной физики 2009,т.1 №2 сто.80-103 : стаття у вітч. виданні 158 . Батурин В.А., Карпенко А.Ю. Осаждение тонкопленочных покрытий с использованием источника кластерно-го пучка // Вопросы атомной науки и техники, Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники, 2009, №6(18), с. 175-180 : стаття у вітч. виданні 159 . Батурін В.А., Літвінов Р.А., Пустовойтов С.А. H-Ion Sources with Inverse Gas Magne-tron Geometry for SNS Project // International Topical Meeting on Nuclear Research Application and Utilization of Accelerators, 4 to 9 May 2009, Vienna, Austria 2009 SM/AE-PO2 p.97 : стаття у заруб. виданні 160 . Левченко А., Лашкарев, Батурін В.А., Карпенко А.Ю., Луніка М.М. Deposition of high quality ZnO films for designing of UV photodetectors on their basis // Abstracts of 38 International School on the Physias of Semiconducting Compounds, June 19-26,2009,Krynica-Zdroj, Poland 2009,р.76 : стаття у заруб. виданні 161 . Лашкарев, Батурін В.А., Карпенко А.Ю., Луніка М.М. Layer by layer growth of ZnO films by r.f. magnetron sputtering // Abstracts of E-MRS 2009 Spring Meeting June 8-12, 2009, Congress Center, Strasbourg, France : стаття у заруб. виданні 162 . Левченко А., Лашкарев Г.В., Батурин В.А., Карпенко А.Ю., Луніка М.М New tendencies of deposition high quality ZnО films for designing of UV photodetec-tors on their basis // Abstrscts of 14 th International Conference on AII-BVI Compounds, August 23-28, 2009, St.Peterburg, Russia, р.273 : стаття у заруб. виданні 163 . Карпина В.А., Храновский В.Д., Євтушенко А.І., Лашкарев Г.В., Лазоренко В.Й., Батурин В.А. Фотолюмінесценція тонких плівок ZnО, осаждених на а-та с- сапфір методом // Тези ХХІІ Міжнародної конференції «Фізика та технологія тонких плівок та наносистем», травень, 18-23, 2009, Івано-Франківськ, Україна , том1, с.248 : стаття у вітч. виданні 164 . Карпенко О. Ю., Батурин В.А. Номер патенту: 83136. Швидкодіючий клапан для імпульсного напуску газу // http://uapatents.com/3-83136-shvidkodiyuchijj-klapan-dlya-impulsnogo-napusku-gazu.html : 165 . Литвинов П.А., Батурин В.А. Разрядная система с осцилляцией элек-тронов в эмиссонной области для источ-ника положительных ионов // X INTERNATIONAL WORKSHOP «PLASMA ELECTRONICS AND NEW ACCELERATION METHODS», м. Харьків, 25-29 серпня 2008 року 2009, т.1,№2, с.55-59 : стаття у вітч. виданні |
Останні новини Молодим ученимFELLOWSHIPS FROM CANON FOUNDATION Детальніше ... Гранти для українських науковців на участь у міжнародних наукових заходах Детальніше ... Оголошення про КОНКУРСНИЙ ПРИЙОМ ДО АСПIРАНТУРИ на 2026-2027 н.р. Детальніше ... |