Найважливіші досягнення Інституту прикладної фізики НАН України (2014)

У розділ "Ядерна фізика, фізика високих енергій і фізика плазми"

Вперше теоретично передбачено можливість значного (на декілька порядків величини) посилення інтенсивності лазерного випромінювання у процесі розсіяння ультрарелятивістських електронів на іонах у полі лазера. Показана можливість посилення випромінювання лазера до екстремально потужних інтенсивностей. Результати теоретичних досліджень будуть використані у співробітництві у рамках мегапроектів FAIR (Facility for Antiproton and Ion Research, Darmstadt, Germany), European XFEL project та ELI (Extreme Light Infrastructure project).
(С.П. Рощупкін, В.О. Цибульник)

Розроблено проект та підготовлена технічна документації на створення каналу ядерного скануючого мікрозонду на базі електростатичного прискорювача ЕГ-5ЛНФ Об'єднаного інституту ядерних досліджень (РФ, м. Дубна).
(О.Г. Пономарьов, Д.В. Магілін, В.А. Ребров, С.В. Колінько, А.О. Пономарьов)

В рамках співробітництва між ІПФ НАН України та Європейським центром ядерних досліджень (CERN) створена надвисоковакуумна установка (Р ~ 5·10^-8 Pa) по визначенню фізичних факторів, що впливають на вірогідність виникнення та розвиток високовольтних пробоїв в матеріалах що використовуються в прискорюючих структурах компактного електрон-позитронного коллайдеру CLIC (Compact Linear Collaider).
(В.І. Мирошніченко, В.А. Батурін, О.Ю Карпенко, О.С. Пустовойтов)

У РОЗДІЛ "Радіохімія, рудоутворення та мінералогія "

Відкрито в рудних проявах монацитів на заході Кіровоградської області вміст 208 ізотопу свинцю з ізотопною чистотою на рівні 98 %. Встановлений високий рівень природнього збагачення свинцю-208 дозволяє зробити припущення про можливість використання такого свинцю як теплоносію в реакторах IV покоління без додаткового ізотопного збагачення.
(А.А.Вальтер, А.В.Андрєєв, А.І.Писанський)

У розділ "Радіаційне матеріалознавство, фізика конденсованого стану"

Методами числового моделювання досліджено процеси самоорганізації дефектної структури в опромінюваних кристалічних матеріалах та встановлено особливості формування стійких структур дефектів. Виявлено, що при малих швидкостях набору дози (в реакторних умовах) точкові дефекти утворюють стійкі компактні та протяжні комплекси характерного розміру 6 нм. При великих швидкостях набору дози (опромінення на прискорювачах) формуються компактні вакансійні кластери розміром 4-5нм. Виявлено, що розподіл вакансій та характер дефектних структур визначається впливом дифузійних процесів, які пригнічуються при збільшенні швидкості набору дози.
(Харченко Д.О., Харченко В.О.)